開關(guān)電源防止EMI的措施，作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大;干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲)，主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場干擾;而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場干擾估計的難度。

　　1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主，增大X電容就可解決

　　1MHZ---5MHZ---差模共?；旌?，采用輸入端并一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決;5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)繞2圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減(diudiu2006);對于25--30MHZ不過可以采用加大對地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變PCBLAYOUT、輸出線前面接一個雙線并繞的小磁環(huán)，最少繞10圈、在輸出整流管兩端并RC濾波器。

　　30---50MHZ普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起，可以用增大MOS驅(qū)動電阻，RCD緩沖電路采用1N4007慢管，VCC供電電壓用1N4007慢管來解決。

　　100---200MHZ普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，可以在整流管上串磁珠

　　100MHz-200MHz之間大部分出于PFCMOSFET及PFC二極管，現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果，水平方向基本可以解決問題，但垂直方向就很無奈了

　　開關(guān)電源的輻射一般只會影響到100M以下的頻段。也可以在MOS，二極管上加相應(yīng)吸收回路，但效率會有所降低。

　　1、把噪音電路節(jié)點(diǎn)的PCB銅箔面積最大限度地減小;如開關(guān)管的漏極、集電極，初次級繞組的節(jié)點(diǎn)等。

　　2、使輸入和輸出端遠(yuǎn)離噪音元件，如變壓器線包，變壓器磁芯，開關(guān)管的散熱片等等。

　　3、使噪音元件(如未遮蔽的變壓器線包，未遮蔽的變壓器磁芯，和開關(guān)管，等等)遠(yuǎn)離外殼邊緣，因?yàn)樵谡２僮飨峦鈿み吘壓芸赡芸拷饷娴慕拥鼐€。

　　4、如果變壓器沒有使用電場屏蔽，要保持屏蔽體和散熱片遠(yuǎn)離變壓器。

　　5、盡量減小以下電流環(huán)的面積：次級(輸出)整流器，初級開關(guān)功率器件，柵極(基極)驅(qū)動線路，輔助整流器。

　　6、不要將門極(基極)的驅(qū)動返饋環(huán)路和初級開關(guān)電路或輔助整流電路混在一起。

　　7、調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值，使它在開關(guān)的死區(qū)時間里不產(chǎn)生振鈴響聲。

　　8、防止EMI濾波電感飽和。

　　9、使拐彎節(jié)點(diǎn)和次級電路的元件遠(yuǎn)離初級電路的屏蔽體或者開關(guān)管的散熱片。

　　10、保持初級電路的擺動的節(jié)點(diǎn)和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或者散熱片。

　　11、使高頻輸入的EMI濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。

　　12、保持高頻輸出的EMI濾波器靠近輸出電線端子。

　　13、使EMI濾波器對面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。

　　14、在輔助線圈的整流器的線路上放一些電阻。

　　15、在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻。

　　16、在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。

　　17、在PCB設(shè)計時允許放1nF/500V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻，跨接在變壓器的初級的靜端和輔助繞組之間。

　　18、保持EMI濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器;尤其是避免定位在繞包的端部。

　　19、在PCB面積足夠的情況下，可在PCB上留下放屏蔽繞組用的腳位和放RC阻尼器的位置，RC阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。

　　20、空間允許的話在開關(guān)功率場效應(yīng)管的漏極和門極之間放一個小徑向引線電容器(米勒電容，10皮法/1千伏電容)。

　　21、空間允許的話放一個小的RC阻尼器在直流輸出端。

　　22、不要把AC插座與初級開關(guān)管的散熱片靠在一起。

　　開關(guān)電源防止EMI的措施已經(jīng)告訴了大家，有需要了解開關(guān)電源的朋友可以來名錦坊咨詢了解，我們有專業(yè)的人員與您解答。